第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量…

第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量… (第1/2页)

到晚上十点半左右，陈舟把张一凡送出了房间。
　　
　　张一凡得抓紧时间赶回学校了，据他所说，他们的宿管阿姨简直不要太凶。
　　
　　如果被锁在门外，写检讨都是轻的。
　　
　　搞不好还要被通报批评呢。
　　
　　见他说的这么严重，陈舟自然也不敢耽误他的时间。
　　
　　只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗？
　　
　　要是晚归，不都是赶紧让你进来，生怕耽误你休息的吗？
　　
　　帮张一凡喊了辆出租车，看着他上车，陈舟才再次回到房间。
　　
　　一回去，就看到沈靖打了个哈欠。
　　
　　陈舟不禁笑了笑，今天起得其实挺早的，而且在高铁上并没有补觉，这会这个点，确实有点犯困了。
　　
　　“学长，先回去休息吧，明天四十三所的实验也要正式开始了。”
　　
　　“没事，我再整理两篇。”沈靖说完，又打了个哈欠。
　　
　　他是真的有点困了，如果按照一天的活动时间来算的话，那他已经连续近16个小时没有休息了。
　　
　　“好啦，这事不急在一时，明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑，督促他赶紧去睡觉。
　　
　　沈靖看了陈舟一眼，把东西收拾好，朝自己房间走去。
　　
　　临出门时，他突然停下脚步，转头问陈舟：“你该不会熬夜看文献吧？”
　　
　　陈舟轻声笑道：“不至于，我再看一会就睡了。”
　　
　　沈靖将信将疑的离开了，但回到房间后他觉得不对，这小子的一会到底是个什么概念呢？
　　
　　想了一会，沈靖把电脑重新打开了。
　　
　　工作，具有专注力的工作，将抵消那股疲惫的困意！
　　
　　给自己打了个气，沈靖便开始继续了。
　　
　　陈舟这边，等沈靖离开后，便坐回桌子前，继续看文献。
　　
　　还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。
　　
　　直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。
　　
　　这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。
　　
　　这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。
　　
　　是极快，不是一般的快！
　　
　　在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930m/h的高速生长。
　　
　　这可是930m/h，不是930μm/h！
　　
　　而且，就算是930μm/h，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μm/h的。
　　
　　更不要说930m/h了。
　　
　　相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。
　　
　　或许连自行车都算不上。
　　
　　也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。
　　
　　制备工艺的话，也并不复杂。
　　
　　主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。
　　
　　引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。
　　
　　而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。
　　
　　但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。
　　
　　

（本章未完，请点击下一页继续阅读）