第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量…

第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量… (第2/2页)

在沉积速度过快时，膜的表面不平整，就会大大降低膜的致密度。
　　
　　看到这，陈舟古怪的笑了笑：“看来，太快了也不好……”
　　
　　但是整体来说，这种方法还是很有研究潜力的。
　　
　　陈舟在草稿纸上做着记录，并把自己的想法记在一旁。
　　
　　把DAPCVD法的相关文献看完后，陈舟右手滑动鼠标，点开了一个新的PDF文件。
　　
　　最后一个制备方法。
　　
　　微波等离子体CVD法，也就是MPCVD法。
　　
　　是四十三所所采用的的方法。
　　
　　也是陈舟查这么文献的目的。
　　
　　和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。
　　
　　这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。
　　
　　这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2~5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。
　　
　　而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。
　　
　　和DAPCVD法使用的气源相同，主要是氩气，反应气体是甲烷和氢气。
　　
　　现如今，这种方法已经形成了多种形式。
　　
　　不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。
　　
　　它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。
　　
　　举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h的速率沉积光学级金刚石薄膜。
　　
　　而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。
　　
　　也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。
　　
　　除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。
　　
　　在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。
　　
　　如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。
　　
　　“气体压力……”
　　
　　“微博功率……”
　　
　　陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。
　　
　　拿笔点了两下，随手便划了两个圈。
　　
　　这是重点。
　　
　　放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。
　　
　　MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。
　　
　　很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。
　　
　　此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。
　　
　　而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。
　　
　　可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。
　　
　　但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。
　　
　　看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。
　　
　　“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”